НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Строение материи <<

Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки

Скачать книгу здесь
Автор: Палатник Л.С.
Название: Эпитаксиальные пленки
Год издания: 1971
УДК: 530.1
Число страниц: 480
Содержание книги:
Обозначения
Введение
1.1. Теории гетерогенного образования зародышей на кристаллических поверхностях
1.4. Экспериментальное изучение процессов роста зародышей и их коалесценции
Глава 2. Эпитаксиапьные пленки кремния
2.1. Некоторые вопросы методики
2.2. Конструкции установок и условия эпитаксиального роста крем11 ния при химическом взаимодействии
2.3. Кинетика роста эпитаксиальных кремниевых слоев из газовой -фазы
2.4. Механизм осаждения кремния из газовой фазы
2.5. Автолегирование кремния
2.7. Начальные стадии роста и структура слоев
2.8. Кристаллографические несовершенства в эпитаксиальных пленках кремния
2.10. Автоэпитаксия кремния при конденсации в вакууме
Глава 3. Эпитаксиальные пленки германия
3.1. Обработка поверхности монокристаллов германия
3.2. Условия эпитаксиального роста германия при восстановлении галоидных соединений. Структура и свойства пленок
3.3. Эпитаксиальное наращивание германия иодидным методом
3.4. Другие способы эпитаксиального наращивания германия
3.5. Кристаллизация германия из паровой фазы в вакууме
4.1. Обработка поверхности монокристаллов GaAs
4.2. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых соединений в закрытом иодидном процессе
4.3. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых соединений в открытом иодидном процессе
4.4. Синтез эпитаксиальных пленок GaAs из хлоридов и чистых элементов
4.5- Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых соединений путем переноса с помощью хлористого (йодистого) водорода
4.6. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых соединений при переносе парами воды
4.7. Эпитаксиальное наращивание соединений из расплавов и растворов
4.8. Зависимость скоростей эпитаксиального наращивания пленок от ориентации
4.9. Выращивание эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений максимальной чистоты
5.1. Некоторые вопросы методики
5.2. Эпитаксия соединений ArlBVI
5.3. Свойства конденсированных пленок соединений AnBvr
5.4. Эпитаксия соединений AIVBVI
5.5. Свойства конденсированных пленок соединений AIVBVI
5.6. Эпитаксия соединений AIJIBV
5.7. Свойства конденсированных пленок соединений AIIJBV
Литература
К введению
К главе 1
К главе 2
К главе 3
К главе 4
К главе 5
Глоссарий:
а б в г д е ж з и к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
2 3 51 98 145 192 239 286 333 380 427 474 479 480
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Технология полупроводниковых приборов
Электротехника, электропривод >> Электроника и радиотехника >> Полупроводники
Синтез минералов Том 2
Химическая технология >> Общая и неорганическая химия >> Кристаллы
Рост алмаза и графита из газовой фазы
Химическая технология >> Термодинамика >> Физическая и коллоидная химия

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru