НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Электричество и магнетизм <<

Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Скачать книгу здесь
Автор: Рывкин С.М.
Название: Фотоэлектрические явления в полупроводниках
Год издания: 1963
УДК: 535
Число страниц: 496
Содержание книги:
Предисловие
§ 1. Равновесные и неравновесные носители тока, неравновесная проводимость
§ 4. Время жизни неравновесных носителей тока
§ 5. Релаксация неравновесной проводимости
A. Линейная рекомбинация
Б. Квадратичная рекомбинация
B. Мгновенное значение времени жизни
§ 6. Фотопроводимость образцов конечных размерен
§ 8. Вычисление фотопроводимости из данных опыта
A. Режим постоянного поля
Б. Режим постоянного тока
B. Режим максимальной чувствительности
Г. Случай малой относительной фотопроводимости
§ 9. О пороге чувствительности
§ 10. Об оптимальных размерах образцов для измерения фотопроводимости
§ 11. Исключение влияния контакюв
Б. Зондовый метод измерения фотопроводимости
§ 12. Исключение влияния неоднородности освещения
§ 13. Частотная зависимость фотопроводимости
А. Прямоугольная модуляция интенсивности света
1. Симметричные прямоугольные волны света
2. Несимметричные прямоугольные волны света (^ Ф /J) 62 Б. Синусоидальная модуляция интенсивности света
§ 14. Определение времени жизни методом компенсации сдвига фаз
A. Синусоидальная модуляция
Б. Прямоугольная модуляция
§ 15. Исследование релаксации в нелинейном случае
§ 16. Некоторые методы модуляции интенсивности световых пучков
§ 17. Внутренний фотоэффект (возбуждение, связанное с поглощением света
§ 18. Ионизация квантами и частицами больших энергий
§ 19. Другие методы «генерации» неравновесных носителей тока
А. Использование «анейтральных» контактов
Б. Образование неравновесных носителей при ударной ионизации
§ 20. Введение. Ограничения, налагаемые законами сохранения энергии и импульса
Захват локальными центрами носителей тока
§ 22. Полупроводник с одним типом ловушек
A. Случай малой концентрации ловушек
Б. Случай любой концентрации ловушек
B. Заключение
§ 24. Случай нескольких типов ловушек
§ 25. Релаксация неравновесной проводимости
А. Малая концентрация ловушек
Б. Большая концентрация ловушек
§ 26. Центры рекомбинации и центры прилипания
А. Демаркационные уровни
Раздел I. Монополярная фотопроводимость
§ 27. Влияние уровней прилипания на стационарные характеристики и релаксацию неравновесной проводимости (слабое заполнение уровней — линейный случай
A. Релаксация при наличии а-центров прилипания
Б. Релаксация при наличии ^-центров прилипания
B. О критерии для разделения а- и р-прилипания
§ 28. Влияние я-прилипания на феноменологический выход и время жизни в общем случае любой степени заполнения уровней прилипания
§ 29. Влияние постоянной подсветки на релаксацию фотопроводимости при наличии а-прилипания
Раздел II. Биполярная фотопроводимость
§ 30. Влияние уровней прилипания на стационарную фотопроводимость и стационарные времена жизни электронов и дырок
§ 31. Влияние уровней прилипания на релаксацию неравновесной биполярной проводимости
§ 32. Влияние сильного заполнения уровней прилипания на начальные стадии нарастания фотопроводимости
§ 33. Влияние уровней прилипания на общий характер релаксационных кривых фотопроводимости
§ 34. Заключение
§ 35. О спектре сложных центров
§ 36. Время жизни при рекомбинации через многозарядные центры
§ 37. Излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок
А. Индуцированная излучательная рекомбинация
§ 40. Ударная рекомбинация
Б. Низкий уровень возбуждения: Дп (Ьр) <^ л0 -j- Po
§ 41. Особенности примесной фотопроводимости
§ 42. Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней
A. Люкс-амперные характеристики
Б. Кривые релаксации
B. Влияние прилипания
А. Термооптические переходы
Б. Двойные оптические переходы
§ 44. Индуцированная примесная фотопроводимость
§ 45. Оптическая перезарядка примесных центров и кинетика примесной фотопроводимости
А. Влияние перезарядки на кинетику примесной фотопроводимости
Б. О «предельной» оптической перезарядке примесных центров
§ 46. Термостимулированная проводимость
§ 47. О знаке фотопроводимости плохо проводящих полупроводников
§ 49. Время жизни носителей тока в зонах
§ 50. Микроскопическое и релаксационное время жизни
A. Примесная фотопроводимость
Б. Собственная фотопроводимость. Рекомбинация через ловушки
B. Смысл релаксационного времени жизни
§ 51. Общие соображения и основные уравнения
§ 52. Распределение концентрации, заряда и поля при диффузии в случае низкого уровня возбуждения. Длина экранирования Дебая
§ 53. Эффективное время установления диффузионного равновесия («постоянная времени Максвелла
§ 54. Распределение концентрации при наличии внешнего электрического поля
§ 55. О длине экранирования Дебая в плохо проводящих полу* проводниках и диэлектриках
§ 56. О так называемом «вторичном» и сквозном фототок-ах в полупроводниках
A. Введение
Б. О кинетике фототока
B. О так называемом «первичном» фототеке
Г. О так называемом «вторичном» фототоке
Д. Некоторые вопросы терминологии
§ 57. Диффузия и дрейф неосновных носителей тока
§ 58. Метод экспериментального определения длины диффузионного смещения /_ и времени жизни неосновных носителей тока т
§ 59. Прямой метод определения подвижности неосновных носителей тока
§ 60. Определение соотношения между подвижностью и коэффициентом диффузии для неравновесных неосновных носителей
§ 61. Метод определения времени жизни и подвижности неосновных носителей с помощью движущегося светового пятна
А. Компенсационный (нулевой) метод измерения подвижности
§ 62. Количественное рассмотрение диффузии и дрейфа при любых соотношениях между концентрациями электронов и дырок
§ 63. ЭДС Дембера
Раздел I. Фотоэлектромагнитные эффекты
Носкова
A. Фотомагнитная ЭДС и ток короткого замыкания
Б. Компенсационный метод измерения / при низком уровне возбуждения
B. Использование фотомагнитного эффекта для определения скорости поверхностной рекомбинации
Б. Основное уравнение фотодиода
§ 70. Основные характеристики электронно-дырочных фотоэлементов
A. Вольт-амперная характеристика
Б. Люкс-амперная характеристика
B. Спектральное распределение фоточувствительности .. 423 Г. Температурная зависимость темнового тока, фототока и фото-ЭДС
Д. Экспериментальная проверка соотношения для вентильной фото-ЭДС
§ 71. О кинетике фотодиодов
A. Фотодиодный режим
Б. Режим вентильной фото-ЭДС
§ 72. Кинетика вентильной фото-ЭДС при наличии нагрузки и любых соотношениях между т и R0C
§ 74. Малоинерционные фотодиоды
§ 75. Об оптимальном режиме использования фотодиодов для регистрации малых сигналов
§ 76. Фотоэлектродвижущие силы в области примесного возбуждения
§ 78. Фототриоды
§ 79. Фотодиод как преобразователь световой энергии в электрическую
Литература
Глоссарий:
а б в г д е ж з и к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
1 2 52 101 150 199 248 297 346 395 444 493 495 496
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Электронные процессы в органических кристаллах Т1
Физика >> Электричество и магнетизм
Физика полупроводников и металлов
Физика >> Электричество и магнетизм
Физика полупроводников и металлов 1976
Физика >> Электричество и магнетизм

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru