НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Электричество и магнетизм <<

Горбачев В.В. Физика полупроводников и металлов 1976

Скачать книгу здесь
Автор: Горбачев В.В.
Название: Физика полупроводников и металлов 1976
Год издания: 1976
УДК: 537
Число страниц: 368
Содержание книги:
Предисловие
Условные обозначения
1.1. Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости
1.2. Модель Друде—Лоренца для электропроводности твердых тел
1.3. Модельные представления об электропроводности полупроводников. Электроны и дырки в полупроводниках
2.1. Уравнение Шредингера. Электроны в идеальном кристалле
2.2. Решение уравнения Шредингера для электрона в кристалле. Адиабатическое и одноэлектронное приближения
2.3. Периодическое поле решетки кристалла. Волна Блоха
2.4. Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна
2.5. Квазиимпульс
2.6. Анализ формы изоэнергетической поверхности вблизи экстремальных точек. Эффективная масса электрона в кристалле
2.7. Обзор основных приближенных методов решения одноэлектронного уравнения Шредингера в кристалле
2.8. Металлы и диэлектрики. Полупроводники и полуметаллы в зонной теории
2.9. Элементарная теория локальных и примесных состояний
2.10. Зонная структура основных полупроводниковых материалов
2.11. Ферми-поверхности металлов
3.1. Функция распределения электронов и дырок по состояниям
3.2. Функция плотности состояний для электронов и дырок
3.3. Вычисление концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
3.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Температурная зависимость уровня Ферми
3.7. Концентрация электронов и температурная зависимость уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси
3.8. Температурная зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в реальных полупроводниках
3.9. Вырожденные примесные полупроводники
4.1. Характеристики неравновесного состояния электронов и дырок в полупроводниках
4.2. Основные механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках
4.3. Основные механизмы генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Максвеллово время релаксации
4.4. Уравнение непрерывности для полупроводников
4.5. Статистика рекомбинации Холла—Шокли—Рида. Зависимость времени жизни от положения уровня Ферми
4.7. Электрические токи дрейфа и диффузии носителей заряда в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна
4.8. Движение неравновесных носителей заряда в слабых электрических полях
4.9. Движение неравновесных носителей заряда в сильных электрических полях
4.10. Совместное движение неравновесных электронов и дырок. Биполярный коэффициент диффузии и биполярная подвижность
5.2. Работа выхода. Контактная разность потенциалов
5.3. Явления на контакте металл—полупроводник. Выпрямляющие свойства контакта
5.4. Электронно-дырочный переход в полупроводниках
5.5. Вольт-амперная характеристика р—п-перехода
5.6. Другие виды контактов. Гетеропереходы
5.7. Поверхностные состояния и их влияние на контактные явления
6.1. Механизмы рассеяния. Эффективное сечение рассеяния
6.2. Тепловые колебания атомов решетки
6.3. Рассеяние носителей заряда на фононах
6.4. Рассеяние на атомах примеси и дислокациях
6.5. Другие виды рассеяния носителей в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности
7.1. Кинетическое уравнение Больцмана. Время релаксации
7.2. Электропроводность. Электропроводность по примесной зоне. Прыжковая электропроводность
7.3. Теплопроводность. Различные механизмы теплопереноса
7.5. Гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла
7.6. Термомагнитные явления
7.7. Явления переноса в сильных электрических полях
8.1. Оптические коэффициенты и связь их с диэлектрической проницаемостью кристалла
8.2. Обзор основных механизмов поглощения света в кристаллах
8.4. Форма края собственного поглощения в полупроводниках. Определение ширины запрещенной зоны по краю собственного поглощения
8.5. Экситонное поглощение. Учет электронно-дырочного взаимодействия в области края собственного поглощения
8.6. Оптическое поглощение с участием примесей. Примесное и межпримесное поглощение
8.7. Поглощение свободными носителями заряда
8.8. Плазменный резонанс в спектрах отражения вырожденных полупроводников и металлов
8.9. Фононное поглощение и поглощение локальными колебаниями примесных атомов
8.10. Дифференциальные методы исследования оптических свойств полупроводников
8.11. Рекомбинационное излучение в полупроводниках
8.13. Фотопроводимость
8.14. Фотовольтаические эффекты в полупроводниках
8.15. Магнетооптические явления в полупроводниках и металлах
Глоссарий:
2 а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
2 3 40 76 112 148 184 220 256 292 328 364 367 368
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Физика полупроводников и металлов 1982
Физика >> Электричество и магнетизм
Физика полупроводников и металлов
Физика >> Электричество и магнетизм
Физика и химия твердого состояния
Физика >> Строение материи

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru