НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Электричество и магнетизм <<

Горбачев В.В. Физика полупроводников и металлов

Скачать книгу здесь
Автор: Горбачев В.В.
Название: Физика полупроводников и металлов
Год издания: 1982
УДК: 537
Число страниц: 336
Содержание книги:
Предисловие ко второму изданию
Глава 1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ
1.1. Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости
1.3. Модельные представления об электропроводности полупроводников. Электроны и дырки в полупроводниках
Глава 2. ОСНОВЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
2.3. Периодическое поле решетки кристалла. Волна Блоха
2.4. Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна
-2.5. Квазиимпульс
2.7. Обзор основных приближенных методов решения одно-электронного уравнения Шредингера в кристалле
2.8. Металлы и диэлектрики. Полупроводники и полуметаллы в зонной теории
2.10. Зонная структура основных полупроводниковых материалов
2.11. Ферми-поверхности металлов
Глава 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.2. Функция плотности состояний для электронов и дырок
3.3. Вычисление концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
3.5. Нахождение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике
3.6. Статистика примесных состояний в полупроводниках
3.8. Температурная зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в реальных полупроводниках
3.9. Вырожденные примесные полупроводники
ИЗБЫТОЧНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
4.1. Характеристики неравновесного состояния электронов и дырок в полупроводниках
4.3. Основные механизмы генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Максвелловское время релаксации
4.4. Уравнение непрерывности для полупроводников
4.5. Статистика рекомбинации Холла—Шокли—Рида. Зависимость времени жизни от положения уровня Ферми
4.6. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда. Определение энергетического положения рекомби-национных уровней
4.7. Электрические токи дрейфа и диффузии носителей заряда в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна
4.8. Движение неравновесных носителей заряда в слабых электрических полях
4.9. Движение неравновесных носителей заряда в сильных электрических полях
4.10. Совместное движение неравновесных электронов и дырок. Биполярный коэффициент диффузии и биполярная подвижность
Глава 5. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
5.1. Искривление энергетических зон во внешнем электрическом поле
5.2. Работа выхода. Контактная разность потенциалов
5.3. Явления на контакте металл—полупроводник. Выпрямляющие свойства контакта
5.4. Электронно-дырочный переход в полупроводниках
5.5. Вольтамперная характеристика р—я-перехода
5.6. Другие виды контактов. Гетеропереходы
5.7. Поверхностные состояния и их влияние на контактные явления
Глава 6. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛАХ
6.1. Механизмы рассеяния. Эффективное сечение рассеяния
6.2. Тепловые колебания атомов решетки
6.3. Рассеяние носителей заряда на фононах
6.4. Рассеяние на атомах примеси и дислокациях
6.5. Другие виды рассеяния носителей в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности
МЕТАЛЛАХ
7.2. Электропроводность. Электропроводность по примесной зоне. Прыжковая электропроводность
7.4. Термоэлектрические явления. Увлечение электронов фо-нонами
7.5. Гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла
7.6. Термомагнитные явления
7.7. Явления переноса в сильных электрических полях
И МЕТАЛЛАХ
8.1. Оптические коэффициенты и связь их с диэлектрической проницаемостью кристалла
8.3. Коэффициент поглощения для межзонных переходов. Сила осциллятора. Приведенная плотность состояний. Особые точки Ван-Хова
8.4. Форма края собственного поглощения в полупроводниках. Определение ширины запрещенной зоны по краю собственного поглощения
8.5. Экситонное поглощение. Учет электронно-дырочного взаимодействия в области края собственного поглощения
8.6. Оптическое поглощение с участием примесей. Примесное и межпримесное поглощение
8.7. Поглощение свободными носителями заряда
8.8. Плазменный резонанс в спектрах отражения вырожденных полупроводников и металлов
8.9. Фононное поглощение и поглощение локальными колебаниями примесных атомов
8.10. Дифференциальные методы исследования оптических свойств полупроводников
8.11. Рекомбинационное излучение в полупроводниках
8.12. Спонтанное и вынужденное излучение. Полупроводниковые лазеры
8.13. Фотопроводимость
8.14. Фотовольтаические эффекты в полупроводниках
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
9.2. Измерение удельной электрической проводимости
9.3. Определение концентрации и подвижности носителей заряда и концентрации примесей по данным холловских измерений
9.4. Определение диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда
Приложение 1. Фундаментальные параметры некоторых важнейших полупроводников
Приложение 3. Значения интегралов Ферми
Рекомендательный библиографический список
Глоссарий:
2 а б в г д е ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
1 2 36 69 102 135 168 201 234 267 300 333 335 336
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Физика полупроводников и металлов 1976
Физика >> Электричество и магнетизм
Физика и химия твердого состояния
Физика >> Строение материи
Введение в физику твердого тела
Физика >> Строение материи

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru