НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Электричество и магнетизм <<

Гаркуша Ж.М. Основы физики полупроводников

Скачать книгу здесь
Автор: Гаркуша Ж.М.
Название: Основы физики полупроводников
Год издания: 1982
УДК: 537.3
Число страниц: 248
Содержание книги:
Предисловие
Введение
Глава 1. Строение атома
§ 1.1. Теория Планка и фотоэффект
§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория Вора о строении атома 12 § L3. Дискретность энергетических уровней электронов в атомах и спектры рентгеновских лучей
§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа
§ 1.5. Электронное строение атомов
Контрольные вопросы и задачи
Глава 2. Строение твердого тела
§ 2.1. Химическая связь в молекулах
§ 2.2. Агрегатные состояния вещества
§ 2.3. Кристаллическая структура твердого тела
§ 2.4. Химические еиязи в кристаллах
§ 2-5. Обозначение плоскостей и направлений в кристалле
§ 2.6. Тепловые колебания атомов
§ 2.7. Дефекты кристаллов
§ 2.8. Определение структуры кристалла
§ 2.9. Жидкие кристаллы
Контрольные вопросы и задачи
Глава 3. Зонная теория твердого тела и статистика электронов
§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах
§ 3.2. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории
§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле
Контрольные вопросы и задачи
Глава 4. Электропроводность твердых тел
§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел
§ 4.2. Электропроводность металлов
§ 4.3. Сверхпроводимость металлов
§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников
§ 4.5. Примесные полупроводники
§ 4.6. Температурная зависимость электропроводности полупроводника
§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверхпроводимость полупроводников
§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников
§ 4.9. Определение типа электропроводности полупроводников
Контрольные вопросы и задачи
Глава 5. Кинетические явления в полупроводниках
§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников
§ 5.2. Эффект Ганна
§ 5.3. Неравновесные носители заряда
§ 5.4. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые токи
§ 5.5. Измерение параметров полупроводников
§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты
§ 5.7. Термомагнитные эффекты
§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников
Контрольные вопросы и задачи
Глава 6. Контакты полупроводника с металлом и электролитом
§ 6.1. Работа выхода и контактная разность потенциалов
§ 6.2. Контакт полупроводника и металла
§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника с металлом
§ 6.4. Контакт металла с электролитом
§ 6.5. Строение двойного слоя
§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом
§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения .. 134 § 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупроводника с электролитом
Контрольные вопросы и задачи
§ 7.1. Образование р-п-переходов
§ 7.2. Классификация р-п-переходов
§ 7.3. Природа токов через р-га-переход
§ 7.4. Омические переходы. Переходы п-п+, р-р
§ 7.5. Гетеропереходы
§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках
§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, ограниченные пространственным зарядом
§ 7.8. Сверхрешетки
Контрольные вопросы и задачи
Глава 8. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства полупроводников
§ 8.1. Термоэлектрические явления
§ 8.2. Фотопроводимость
§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход
§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда
§ 8.5. Люминесценция
§ 8.6. Фото-э. д. с. в полупроводниках
§ 8.7. Квантовые генераторы
§ 8.8. Твердотельные лазеры
§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике
Контрольные вопросы
Глава 9. Поверхностные свойства полупроводников
§ 9.1. Особенности строения поверхности полупроводников
§ 9.2. Образование поверхностного заряда
§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников
§ 9.4. Поверхностная электропроводность
§ 9.5. Эффект поля
§ 9.6. Физические явления при переносе носителей заряда с помощью МДП-структур
§ 9.7. Каналы проводимости
§ 9.8. Поверхностная рекомбинация
§ 9.9. Быстрые и медленные состояния
Контрольные вопросы и задачи
Глава 10. Зависимость параметров полупроводниковых приборов от состояния поверхности
§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры полупроводниковых приборов
§ 10.2. Ток поверхностной утечки
§ 10.3. Стабильность характеристик приборов
§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда
Контрольные вопросы
Глава 11. Свойства тонких пленок
§ 11.1. Особенности структуры пленок
§ 11.2. Металлические пленки
§ 11.3. Эпитаксиальные слои
§ 11.4. Диэлектрические пленки
§ 11.5. Ферромагнитные пленки
Контрольные вопросы
Литература
Глоссарий:
а б в г д е ж з и к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
2 3 28 52 76 100 124 148 172 196 220 244 247 248
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА
Машиностроение >> Энергетика
Физика и химия твердого состояния
Физика >> Строение материи
Физика твердого тела
Физика >> Сопротивление материалов

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru